Patent Bilgi | Yıldız TTO

Yükleniyor...

Patent

JP2022539127

Yüksek kalitede hetero epitaksiyel monoklinik galyum oksit kristali büyütme metodu

Mülkiyet Patent

Ülke Kodu JAPONYA PATENT OFİSİ

Başvuru No JP2022539127

Başvuru Tarihi 01.06.2021

Buluşçular

FATİH AKYOL

Portfolyoya dön